SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW. Опт - все предложения в Минске

Предложения Поставщиков

Сайт: https://1teh.by/ Склад: Минск, 1-й Измайловский переулок, 51. С 9:00 до 18:00. При заказе до 12:00 отгрузка после 17:00. Далее на следующий день. Менеджер: тг @Tata_Mits.
Наименование от ПоставщикаЦена, BYNПродавецОбновленоФорма оплатыСроки
SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW 884.00 Продавец 1 13.10.2026 07:46 Безнал. 1 день

Внимание! Сайт не является интернет-магазином. Информация, представленная на сайте, носит исключительно ознакомительный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой. Чтобы купить товар, обращайтесь непосредствено к Продавцу.

SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW. Описание товара

Общая информация

Дата выхода на рынок 2026 г.
Описание

✅ Ключевые характеристики
Современный SSD-накопитель M.2 формата 2280 с объемом 1 ТБ, интерфейсом PCI Express 4.0 x4 и поддержкой NVMe 2.0, обеспечивает высокую производительность для рабочих станций и игровых ПК. Максимальная скорость последовательного чтения достигает 7150 МБ/с, а записи - 6450 МБ/с, что позволяет быстро работать с большими файлами и ускоряет загрузку приложений.

✅ Преимущества и отличия
Модель выделяется высокой надежностью с ресурсом записи 400 ТБ и временем наработки на отказ 1 500 000 ч. Накопитель поддерживает аппаратное шифрование AES 256bit, что гарантирует безопасность ваших данных. Благодаря энергоэффективности (максимальное энергопотребление 4.0 Вт при чтении) устройство подходит для систем с ограниченными возможностями охлаждения.

✅ Практичность
Отсутствие DRAM-буфера компенсируется технологией Host Memory Buffer, что позволяет добиться хорошей производительности в повседневных задачах. Полная совместимость с современными платформами и поддержка актуальных стандартов NVMe делают накопитель универсальным выбором для различных пользовательских сценариев, включая установку в игровые консоли.

✅ Уникальность
Использование фирменной памяти Samsung V-NAND и собственного контроллера обеспечивает стабильную работу и высокую долговечность. Расширенная поддержка функций TRIM, S.M.A.R.T., аппаратного шифрования и энергосбережения позволяет сохранить оптимальную производительность и защищенность данных на протяжении всего срока службы устройства

Основные

Объём 1 ТБ
Форм-фактор M.2
Интерфейс PCI Express 4.0 x4
Версия NVMe 2.0
Тип микросхем Flash 3D QLC NAND
Контроллер Samsung PiccoloQ
Размеры устройств M.2 2280
Ресурс записи 400 TBW

Технические характеристики

DRAM-буфер
Аппаратное шифрование AES 256bit
Скорость последовательного чтения 7 150 Мбайт/с
Скорость последовательной записи 6 450 Мбайт/с
Средняя скорость случайного чтения 700 000 IOps
Средняя скорость случайной записи 1 100 000 IOps
Энергопотребление (чтение/запись) 4 Вт
Энергопотребление (ожидание) 0.055 Вт
Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч
Толщина 2.38 мм
Охлаждение
Подсветка
Совместимость с PS5

Комплектация

Тип поставки RTL (в коробке)

SSD Samsung 990 1TB MZ-V9V1T0BW. Похожие товары


Доступ к информации ПЛАТНЫЙ.
Зарегистрируйтесь или Авторизуйтесь.
Пополните баланс и активируйте доступ в Личном кабинете.