Оперативная память Patriot Signature Line 8GB DDR4 PC4-21300 PSD48G266681. Опт - все предложения в Минске

Предложения Поставщиков

Менеджеры Евгений Skype: mr.cop79, telegram: @JackieChannnn; Марьян: Skype: Mari0GT, telegram: @Mari0GT.
Заказы принимаются через личный кабинет!!! Доступы получайте у менеджера Сайт: http://www.it-shop.by/ Адрес склада: г.Минск, ул.Тимирязева д.65 Телефон: +375(29)632-31-00 Skype: singlgrey Почта: sales@it-shop.by
Заказы принимаются через личный кабинет!!! Доступы получайте у менеджера Сайт: http://www.it-shop.by/ Адрес склада: г.Минск, ул.Тимирязева д.65 Телефон: +375(29)632-31-00 Skype: singlgrey Почта: sales@it-shop.by
Менеджер: Василий Телеграм: @Torg_Invest
Менеджер Skype: natusik_ua Skype: live:c052f399e01cec8c +375 (29) 179-66-24 Наталья +375 (29) 904-21-29 Ядвига
Менеджер Skype: natusik_ua Skype: live:c052f399e01cec8c +375 (29) 179-66-24 Наталья +375 (29) 904-21-29 Ядвига
Заказы принимаются через личный кабинет!!! Доступы получайте у менеджера: info@r-tech.by. Сайт: http://zakaza.org/
Заказы принимаются через личный кабинет!!! Доступы получайте у менеджера: info@r-tech.by. Сайт: http://zakaza.org/
Заказы принимаются через личный кабинет!!! Доступы получайте у менеджера: info@r-tech.by. Сайт: http://zakaza.org/
Сайт: http://www.technoby.com/ Телефон: +3752902555, +375293400363 Адрес склада: г. Минск, ул. Корш-Саблина, 74 Менеджер: Федор Почта: order@technoby.com Skype: fedor_s1
Наименование от ПоставщикаЦена, BYNПродавецОбновленоФорма оплатыСроки
Оперативная память Patriot DDR4-2666 8GB PC-21300 (PSD48G266681) 71.72 Продавец 1 19.05.2024 17:31 Нал/Безнал. 1 день
PSD48G266681 Patriot Память DDR4 8Gb PC4-21300 Patriot PSD48G266681 72.01 Продавец 2 17.05.2024 13:37 Безнал. 1-3 дня
PSD48G266681S Patriot Память SO-DIMM DDR4 8GB PC4-21300 Patriot PSD48G266681S 77.05 Продавец 3 17.05.2024 13:37 Безнал. 1-3 дня
Patriot Signature Line 8GB DDR4 PC4-21300 PSD48G266681 79.00 Продавец 4 19.05.2024 22:20 Безнал. Сегодня
Оперативная память DDR4 Patriot PSD48G266681 81.41 Продавец 5 19.05.2024 20:15 Нал/Безнал. Сегодня
Оперативная память DDR4 Patriot PSD48G266681 - Продавец 6 19.05.2024 17:03 Нет в наличии -
DDR4 8GB PC-21300 2666MHz Patriot (PSD48G266681) CL19 84.76 Продавец 7 19.05.2024 16:29 Безнал. 1-3 дня
DDR4 8GB PC-21300 2666MHz Patriot (PSD48G266681) CL19 - Продавец 8 19.05.2024 16:29 Нет в наличии -
DDR4 8GB PC-21300 2666MHz Patriot (PSD48G266681) CL19 - Продавец 9 19.05.2024 16:29 Нет в наличии -
ОЗУ Patriot PSD48G266681 97.97 Продавец 10 19.05.2024 15:37 Нал/Безнал. Сегодня

Внимание! Сайт не является интернет-магазином. Информация, представленная на сайте, носит исключительно ознакомительный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой. Чтобы купить товар, обращайтесь непосредствено к Продавцу.

Оперативная память Patriot Signature Line 8GB DDR4 PC4-21300 PSD48G266681. Описание товара

Основные
Набор

Набор

Память может продаваться как отдельным модулем, так и в наборе. Обычно набор согласован для многоканального доступа, т.е. модули протестированы на работоспособность при заданных параметра (частота, задержки). Впрочем, набор может стоить дороже, чем модули по отдельности.

1 модуль
Объем 8 Гб
Тип

Тип

Модули оперативной памяти в зависимости от конструктивной реализации и электрического интерфейса микросхем делятся на несколько типов. Наиболее распространены модули DIMM (Dual In-line Memory Module) для настольных ПК и SO-DIMM для мобильных ПК и неттопов. В свою очередь модули могут относиться к одному из поколений: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM.

DDR4 DIMM
ECC

ECC

ECC (Error Correction Coding) - метод избыточного кодирования информации, позволяющий выявлять и исправлять ошибки, как правило - единичные биты. Реализация механизма ECC позволяет защитить память от сбоев, возникающих из-за естественного "плавания" заряда в ячейках динамической памяти. Модули оперативной памяти могут быть оснащены дополнительной микросхемой для хранения кодов ECC, поскольку поддержка этого механизма изначально в них заложена. Впрочем, для корректной работы памяти с ECC должна быть обеспечена поддержка со стороны контроллера памяти (встроен в чипсет или процессор) и материнской платы. На обычных ПК такая память обычно не применяется.

Частота

Частота

Частота, на которой происходит обмен данными между микросхемами DRAM и контроллером памяти. Чем выше частота, тем выше будет пиковая (мгновенная, без учета задержек доступа) скорость работы памяти. Впрочем, поддержка высоких частот должна быть обеспечена со стороны контроллера памяти (в чипсете или процессоре), иначе приобретать более скоростной тип памяти не имеет смысла.

2666 МГц
PC-индекс

PC-индекс

Модули памяти, удовлетворяющие определенному стандарту JEDEC (определяет работоспособность при заданных параметрах, в том числе частоте), маркируются PC-индексом. Цифра после букв "PC" определяет поколение DDR (PC2 - DDR2, PC3 - DDR3), затем следует значение пиковой пропускной способности в Мбайт/с. Данное значение рассчитывается как произведение ширины шины памяти в байтах и частоты работы памяти. Например, для памяти DDR2 с частотой обмена данными 800 МГц индекс будет 800*8=6400, и память маркируется как PC2-6400.

PC4-21300
CAS Latency

CAS Latency

Одна из наиболее важных задержек адресации памяти DRAM носит название CAS Latency (CL). CAS - это Column Address Strobe, сигнал выборки столбца, который поступает после сигнала выборки строки (Row Address Strobe, или RAS). Фактически CAS Latency определяет скорость подачи данных на выходные усилители после поступления полного адреса. Ввиду того, что память DRAM работает в пакетном режиме, а блоки данных располагаются чаще всего последовательно, задержка CAS Latency вместе с частотой обмена данными фактически определяет скорость работы памяти. Проще говоря, чем меньше CL, тем меньше будет задержка и тем выше - общая скорость памяти. Но следует помнить, что CAS Latency для упрощения указывается не в единицах времени, а в тактах, а длительность такта зависит от частоты работы памяти. Сравнивать такты для памяти различного типа не имеет смысла.

19T
Тайминги

Тайминги

Таймингами обычно называют сокращенное обозначение наиболее важных задержек доступа к ячейкам памяти. Сокращенная запись может состоять из 3, 4 или 5 значений, разделенных знаком "-": [Tcl-]Trcd-Trp-Tras[-Tcr]. Первым может идти значение CAS Latency (Tcl), однако эта задержка часто указывается отдельно. В середине обычно указываются задержки Trcd (RAS to CAS Delay, задержка между сигналами выборки строки и столбца), Trp (RAS Precharge, задержка предзаряда) и Tras (Row Active Time, минимальное время выполнения цикла адресации до сигнала выборки следующей строки). Последним параметром иногда добавляют Tcr (Command Rate, задержка выборки микросхемы). На самом деле порядок указания задержек не так важен, поскольку их сумма определяет минимальную задержку доступа к заданной ячейке (без учета возможности конвейерной обработки): T=Tcr+Trp+Tras+Trcd+Tcl. Чем меньше каждый из параметров и их сумма, тем меньше задержки и тем выше скорость работы памяти (на заданной частоте, т.к. задержки указываются в тактах, а не временных единицах).

19-19-19-43
Напряжение питания

Напряжение питания

Для каждого типа памяти (SDR, DDR, DDR2, DDR3, DDR4) предусмотрено определенное напряжение питания, а точнее, стандарт уровня напряжения SSTL. Иногда для повышения стабильности работы при "заводском разгоне" производитель рекомендует более высокое напряжение. С другой стороны, для снижения энергопотребления производитель может обеспечить работоспособность памяти и на пониженном напряжении.

1.2 В
Технические характеристики
Расположение чипов

Расположение чипов

Тип расположения чипов на модуле памяти. Существуют модули с двусторонним и односторонним расположением. При расположении микросхем с двух сторон модули имеют большую толщину и физически не могут быть установлены в некоторые системы.

одностороннее
Количество ранков

Количество ранков

Ранк памяти - это блок или область данных, созданная с использованием некоторых или всех чипов памяти, и имеющая ширину 64 бита (72 бита для модулей с поддержкой ECC). Модуль памяти может содержать 1, 2 или 4 блока шириной 64 бита (72 бита для ECC-модулей). Иногда количество ранков совпадает с расположением чипом на модуле памяти (одностороннее или двустороннее).

1
Профили XMP

Профили XMP

Профили XMP, прописанные в SPD модуля памяти, позволяют средствами BIOS Setup переключиться в режим разгона, не настраивая вручную все задержки (они описаны в профиле). По сути это всего лишь встроенная помощь неопытному пользователю, который хочет разогнать память, но не знает, как.

Профили AMP
Конструкция
Охлаждение

Охлаждение

Модули памяти при разгоне испытывают повышенный нагрев, как и любые другие компоненты. Наличие радиаторов позволяет равномерно распределить и рассеять выделяемую тепловую энергию. Если радиаторы обдуваются или к ним подведена жидкость, их эффективность возрастает многократно. При отсутствии разгона наличие радиаторов нежелательно, т.к. это увеличивает стоимость.

Низкопрофильный модуль

Низкопрофильный модуль

Низкопрофильные модули DIMM имеют меньшую высоту, чем предписано стандартом, что теоретически позволяет улучшить циркуляцию воздуха внутри корпуса настольной системы, особенно если корпус имеет компактные размеры. Для стандартных корпусов этот параметр не играет роли.

Оперативная память Patriot Signature Line 8GB DDR4 PC4-21300 PSD48G266681. Похожие товары


Доступ к информации ПЛАТНЫЙ.
Зарегистрируйтесь или Авторизуйтесь.
Пополните баланс и активируйте доступ в Личном кабинете.