Оперативная память HP 4GB DDR4 PC4-17000 (726717-B21). Опт - все предложения в Минске

Набор

Память может продаваться как отдельным модулем, так и в наборе. Обычно набор согласован для многоканального доступа, т.е. модули протестированы на работоспособность при заданных параметра (частота, задержки). Впрочем, набор может стоить дороже, чем модули по отдельности.

Тип

Модули оперативной памяти в зависимости от конструктивной реализации и электрического интерфейса микросхем делятся на несколько типов. Наиболее распространены модули DIMM (Dual In-line Memory Module) для настольных ПК и SO-DIMM для мобильных ПК и неттопов. В свою очередь модули могут относиться к одному из поколений: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM.

ECC

ECC (Error Correction Coding) - метод избыточного кодирования информации, позволяющий выявлять и исправлять ошибки, как правило - единичные биты. Реализация механизма ECC позволяет защитить память от сбоев, возникающих из-за естественного "плавания" заряда в ячейках динамической памяти. Модули оперативной памяти могут быть оснащены дополнительной микросхемой для хранения кодов ECC, поскольку поддержка этого механизма изначально в них заложена. Впрочем, для корректной работы памяти с ECC должна быть обеспечена поддержка со стороны контроллера памяти (встроен в чипсет или процессор) и материнской платы. На обычных ПК такая память обычно не применяется.

Частота

Частота, на которой происходит обмен данными между микросхемами DRAM и контроллером памяти. Чем выше частота, тем выше будет пиковая (мгновенная, без учета задержек доступа) скорость работы памяти. Впрочем, поддержка высоких частот должна быть обеспечена со стороны контроллера памяти (в чипсете или процессоре), иначе приобретать более скоростной тип памяти не имеет смысла.

PC-индекс

Модули памяти, удовлетворяющие определенному стандарту JEDEC (определяет работоспособность при заданных параметрах, в том числе частоте), маркируются PC-индексом. Цифра после букв "PC" определяет поколение DDR (PC2 - DDR2, PC3 - DDR3), затем следует значение пиковой пропускной способности в Мбайт/с. Данное значение рассчитывается как произведение ширины шины памяти в байтах и частоты работы памяти. Например, для памяти DDR2 с частотой обмена данными 800 МГц индекс будет 800*8=6400, и память маркируется как PC2-6400.

CAS Latency

Одна из наиболее важных задержек адресации памяти DRAM носит название CAS Latency (CL). CAS - это Column Address Strobe, сигнал выборки столбца, который поступает после сигнала выборки строки (Row Address Strobe, или RAS). Фактически CAS Latency определяет скорость подачи данных на выходные усилители после поступления полного адреса. Ввиду того, что память DRAM работает в пакетном режиме, а блоки данных располагаются чаще всего последовательно, задержка CAS Latency вместе с частотой обмена данными фактически определяет скорость работы памяти. Проще говоря, чем меньше CL, тем меньше будет задержка и тем выше - общая скорость памяти. Но следует помнить, что CAS Latency для упрощения указывается не в единицах времени, а в тактах, а длительность такта зависит от частоты работы памяти. Сравнивать такты для памяти различного типа не имеет смысла.

Тайминги

Таймингами обычно называют сокращенное обозначение наиболее важных задержек доступа к ячейкам памяти. Сокращенная запись может состоять из 3, 4 или 5 значений, разделенных знаком "-": [Tcl-]Trcd-Trp-Tras[-Tcr]. Первым может идти значение CAS Latency (Tcl), однако эта задержка часто указывается отдельно. В середине обычно указываются задержки Trcd (RAS to CAS Delay, задержка между сигналами выборки строки и столбца), Trp (RAS Precharge, задержка предзаряда) и Tras (Row Active Time, минимальное время выполнения цикла адресации до сигнала выборки следующей строки). Последним параметром иногда добавляют Tcr (Command Rate, задержка выборки микросхемы). На самом деле порядок указания задержек не так важен, поскольку их сумма определяет минимальную задержку доступа к заданной ячейке (без учета возможности конвейерной обработки): T=Tcr+Trp+Tras+Trcd+Tcl. Чем меньше каждый из параметров и их сумма, тем меньше задержки и тем выше скорость работы памяти (на заданной частоте, т.к. задержки указываются в тактах, а не временных единицах).

Напряжение питания

Для каждого типа памяти (SDR, DDR, DDR2, DDR3, DDR4) предусмотрено определенное напряжение питания, а точнее, стандарт уровня напряжения SSTL. Иногда для повышения стабильности работы при "заводском разгоне" производитель рекомендует более высокое напряжение. С другой стороны, для снижения энергопотребления производитель может обеспечить работоспособность памяти и на пониженном напряжении.